ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

看車|車神榜|2024-01-23 14:31

采用溝槽MOS結構,使存在權衡關系的VFIR相比以往產品得到顯著改善ROHM推出實現業界超快trr100V耐壓SBDYQ系列

非常適用于汽車LED前照燈等高速開關應用

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)“YQ系列”。

二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD,其VF低于平面結構的SBD,因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品,其trr比平面結構的要差,因此在用于開關應用時存在功率損耗增加的課題。針對這種課題,ROHM推出采用自有的溝槽MOS結構、同時改善了存在權衡關系的VF和IR、并實現了業界超快trr的YQ系列產品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應用的4個SBD系列之后推出的新系列產品,也是ROHM首款采用溝槽MOS結構的二極管。該系列利用ROHM自有的結構設計,實現了業界超快的trr(15ns),與同樣采用溝槽MOS結構的普通產品相比,trr單項的損耗降低約37%,總開關損耗降低約26%,因此,有助于降低應用產品的功耗。另外,通過采用溝槽MOS結構,與以往采用平面結構的SBD相比,正向施加時的損耗VF*2和反向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等正向使用時的功率損耗,還可以降低對于SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優勢使得該系列產品非常適用于容易發熱的車載LED前照燈的驅動電路、xEV用的DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。

新產品從2023年12月起全部投入量產(樣品價格:300日元~/個,不含稅),樣品可通過Ameya360、Sekorm、Right IC等網售平臺購買。今后,ROHM將持續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質,并繼續加強別具特色的產品陣容,為應用產品進一步實現小型化和更低功耗貢獻力量。


<關于SBD的溝槽MOS結構>

溝槽MOS結構是在外延層中形成溝槽(溝槽MOS)并用多晶硅填充的結構,這種結構可以緩和電場集中,從而可以降低外延層的電阻率,在正向施加時VF更低。另外,當反向施加時,可以緩和電場集中現象,從而實現更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結構,與以往產品相比,VF改善了約7%,IR改善了約82%。另一方面,在普通溝槽MOS結構中,寄生電容(元器件中的電阻分量)較大,因此trr要比平面結構的差?!癥Q系列”不僅改善了VF和IR,而且還利用ROHM自有的結構設計,實現了約15ns的業界超快trr。由于可將開關時的損耗降低約26%,因此非常有助于降低應用產品的功耗。


<應用示例>

?汽車LED前照燈    ?xEV用DC-DC轉換器    ?工業設備電源     ?照明


<產品陣容表>


<支持頁面和資源信息>

ROHM的官網提供可以了解新產品電路優勢的應用指南,以及介紹包括新產品在內的各SBD系列產品特點的白皮書。在SBD產品頁面中,可以通過輸入耐壓條件等參數來縮小產品范圍,有助于設計時順利選擇產品。詳情請訪問以下網址:

■ROHM的SBD產品頁面

https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes

■應用指南

《車載用小型高效肖特基勢壘二極管“YQ系列”的優勢》

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf

■白皮書

有助于車載、工業和消費電子設備小型化并降低損耗的ROHM SBD產品陣容

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf


<電商銷售信息>

電商平臺:Ameya360、Sekorm、Right IC

產品型號:見上表。

新產品在其他電商平臺也以開始逐步發售。


<術語解說>

*1) 反向恢復時間:trr(Reverse Recovery Time)

開關二極管從導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。該值越低,開關時的損耗越小。

*2) 正向電壓:VF(Forward Voltage)

當電流沿從+到-的方向流動時產生的電壓降。該值越低,效率越高。

*3) 反向電流:IR(Reverse Current)

反向施加電壓時產生的反向電流。該值越低,功耗(反向功耗)越小。

*4) 熱失控

當向二極管施加反向電壓時,內部的芯片發熱量超過了封裝的散熱量,導致IR值增加,最終造成損壞的現象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發生熱失控,因此在設計電路時需要格外注意。


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